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Untersuchung der prozessabhängigen Ladungsträgerrekombination an Versetzungen in Siliziumsolarzellen
Fakultät für Chemie und Physik, der Technischen Universität Bergakademie Freiberg, Deutschland.ORCID iD: 0000-0003-2181-3820
2004 (German)Doctoral thesis, monograph (Other academic)
Abstract [de]

Die Dissertation demonstriert ein Verfahren zur Messung der normalisierten Rekombinationsstärke (Gamma) von Versetzungen in blockerstarrten Siliziumsolarzellen. Es basiert auf der topografischen Messung der internen Quanteneffizienz IQE und der Versetzungsdichte. Unter Verwendung des theoretischen Modells von Donolato und Simulationen mit dem Programm PC1D werden für einzelne Versetzungscluster aus dem gemessenen Zusammenhang zwischen der IQE und der Versetzungsdichte die Gamma-Werte bestimmt. Zur Messung der Versetzungsdichte wurden neue Methoden der automatischen Bildanalyse zur Erkennung von angeätzten Kristalldefekten mit dem Computer entwickelt. Die in den Solarzellen gemessenen Gamma-Werte variieren über ca. eine Größenordnung innerhalb weniger Millimeter. Regelmäßig angeordnete Versetzungen haben kleinere Gamma-Werte gegenüber ungeordneteren Verteilungen. Der Gamma-Wert korreliert signifikant mit den Prozesstemperaturen bei der Solarzellherstellung. Es wird gezeigt, in welcher Weise eine Remote-Plasma-Wasserstoffpassivierung die lokale IQE und die Gamma-Werte beeinflusst.

Place, publisher, year, edition, pages
Deutsche Nationalbibliothek , 2004. , 148 p.
Keyword [en]
dislocations, silicon, solar cell, LBIC
Keyword [de]
Solarzelle, Versetzung, Silicium, Rekombination, Getterung, Kurzschlussstrom, Blockguss
National Category
Condensed Matter Physics
Research subject
Physics
Identifiers
URN: urn:nbn:se:kau:diva-27910OAI: oai:DiVA.org:kau-27910DiVA: diva2:628901
Public defence
2004-09-17, 14:00 (German)
Supervisors
Available from: 2013-08-14 Created: 2013-06-14 Last updated: 2015-09-17Bibliographically approved

Open Access in DiVA

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By author/editor
Rinio, Markus
Condensed Matter Physics

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