Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Solvent vapor annealing on perylene-based organic solar cells
Univ Augsburg, Inst Phys, D-86135 Augsburg, Germany..
Humboldt Univ, Inst Phys, D-12489 Berlin, Germany..
Univ So Calif, Dept Chem, Dept Chem Engn, Los Angeles, CA 90089 USA..ORCID-id: 0000-0002-3214-8398
Univ Augsburg, Inst Phys, D-86135 Augsburg, Germany..
Visa övriga samt affilieringar
2015 (Engelska)Ingår i: Journal of Materials Chemistry A, ISSN 2050-7488, Vol. 3, nr 30, s. 15700-15709Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

Diindenoperylene (DIP) and tetraphenyldibenzoperiflanthene (DBP) are two commonly used donor materials in organic solar cell devices. Despite their structural similarities, DIP films are crystalline, exhibiting good charge and exciton transport, whereas DBP films are amorphous and have lower carrier mobility and a short exciton diffusion length. However, DBP reveals a distinctly higher absorption due to the lying orientation of its transition dipole moments. In this paper, we investigate the influence of solvent vapor annealing (SVA) on the solar cell performance of both materials. In general, SVA induces a partial re-solubilization of the material leading to enhanced crystallinity of the treated layer. For DBP, extended annealing times result in a strong aggregation of the molecules, creating inhomogeneous layers unfavorable for solar cells. However, in DIP cells, SVA leads to an increase in fill factor (FF) and also a slight increase in short-circuit current density (JSC) due to interface roughening. The best results are obtained by combining solvent vapor annealed DIP layers with strongly absorbing DBP and C-70 on top. Through this device architecture, we obtain the same increase in FF in addition to a higher gain in J(SC), elevating the power conversion efficiency by a factor of 1.2 to more than 4%.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Royal Society of Chemistry, 2015. Vol. 3, nr 30, s. 15700-15709
Nationell ämneskategori
Kemiteknik
Forskningsämne
Kemiteknik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kau:diva-41645DOI: 10.1039/c5ta02806jISI: 000358211700042OAI: oai:DiVA.org:kau-41645DiVA, id: diva2:918444
Tillgänglig från: 2016-04-11 Skapad: 2016-04-11 Senast uppdaterad: 2018-01-18Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

fulltext(3583 kB)68 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 3583 kBChecksumma SHA-512
d680061845caac7dd4529049f19dc24eb9f3bcdd22ccc031cab5280c4b71fae4382a0cc53b6163194d03fb4338b2ec0f36f2bafaf6602494e9eaee2a3519a500
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Opitz, AndreasMeister, EduardMoons, EllenBruetting, Wolfgang

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Opitz, AndreasMeister, EduardMoons, EllenBruetting, Wolfgang
Av organisationen
Avdelningen för fysik och elektroteknik
I samma tidskrift
Journal of Materials Chemistry A
Kemiteknik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 68 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 182 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf