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Untersuchung der prozessabhängigen Ladungsträgerrekombination an Versetzungen in Siliziumsolarzellen
Fakultät für Chemie und Physik, der Technischen Universität Bergakademie Freiberg, Deutschland.ORCID-id: 0000-0003-2181-3820
2004 (Tyska)Doktorsavhandling, monografi (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [de]

Die Dissertation demonstriert ein Verfahren zur Messung der normalisierten Rekombinationsstärke (Gamma) von Versetzungen in blockerstarrten Siliziumsolarzellen. Es basiert auf der topografischen Messung der internen Quanteneffizienz IQE und der Versetzungsdichte. Unter Verwendung des theoretischen Modells von Donolato und Simulationen mit dem Programm PC1D werden für einzelne Versetzungscluster aus dem gemessenen Zusammenhang zwischen der IQE und der Versetzungsdichte die Gamma-Werte bestimmt. Zur Messung der Versetzungsdichte wurden neue Methoden der automatischen Bildanalyse zur Erkennung von angeätzten Kristalldefekten mit dem Computer entwickelt. Die in den Solarzellen gemessenen Gamma-Werte variieren über ca. eine Größenordnung innerhalb weniger Millimeter. Regelmäßig angeordnete Versetzungen haben kleinere Gamma-Werte gegenüber ungeordneteren Verteilungen. Der Gamma-Wert korreliert signifikant mit den Prozesstemperaturen bei der Solarzellherstellung. Es wird gezeigt, in welcher Weise eine Remote-Plasma-Wasserstoffpassivierung die lokale IQE und die Gamma-Werte beeinflusst.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Deutsche Nationalbibliothek , 2004. , s. 148
Nyckelord [en]
dislocations, silicon, solar cell, LBIC
Nyckelord [de]
Solarzelle, Versetzung, Silicium, Rekombination, Getterung, Kurzschlussstrom, Blockguss
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Forskningsämne
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kau:diva-27910OAI: oai:DiVA.org:kau-27910DiVA, id: diva2:628901
Disputation
2004-09-17, 14:00 (Tyska)
Handledare
Tillgänglig från: 2013-08-14 Skapad: 2013-06-14 Senast uppdaterad: 2015-09-17Bibliografiskt granskad

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