Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Initial quantum well states in Ag thin films on the In/Si(111)-root 3 x root 3 surface
Karlstads universitet, Fakulteten för hälsa, natur- och teknikvetenskap (from 2013), Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013).
Karlstads universitet, Fakulteten för hälsa, natur- och teknikvetenskap (from 2013), Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013).
Karlstads universitet, Fakulteten för hälsa, natur- och teknikvetenskap (from 2013), Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013).ORCID-id: 0000-0003-4165-1515
2020 (Engelska)Ingår i: Surface Science, ISSN 0039-6028, E-ISSN 1879-2758, Vol. 692, s. 1-7, artikel-id 121531Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Silver thin films have been formed by room temperature deposition of Ag on In/Si(111)-root 3 x root 3. The Ag films have been investigated using both angle-resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) and scanning tunneling microscopy and spectroscopy (STM/STS). This creates a powerful link between the electronic structures and the film morphology. The valence band spectra show a clear evidence of quantum well state (QWS) formation already for a 2 monolayer (ML) film. This QWS moves towards the Fermi level for the 3 ML film, which also reveals a second QWS. The QWSs' dispersions have been plotted along the (Gamma) over bar(M) over bar and (Gamma) over bar(K) over bar symmetry lines of the 1 x 1 surface Brillouin zone (SBZ), where the (Gamma) over bar(M) over bar direction shows the umklapp-mediated QWSs. The valence band spectra for the 3 ML Ag film also show a strong Ag sp band close to the edge of the Ag(111) 1 x 1 SBZ. In the STS spectrum from 2 ML, two peaks are visible below the Shockley surface state. These peaks are compared with the ARPES data and attributed to different features of the QWS, namely the turning part where the QWS band intersects with the bulk Si valence band region and the local binding energy minimum close to the (Gamma) over bar point.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier, 2020. Vol. 692, s. 1-7, artikel-id 121531
Nyckelord [en]
Quantum well states, Thin films, Semiconductor, ARPES, STM/STS
Nationell ämneskategori
Fysik
Forskningsämne
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kau:diva-76235DOI: 10.1016/j.susc.2019.121531ISI: 000502892900008Scopus ID: 2-s2.0-85074996429OAI: oai:DiVA.org:kau-76235DiVA, id: diva2:1384201
Tillgänglig från: 2020-01-09 Skapad: 2020-01-09 Senast uppdaterad: 2020-05-27Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltextScopus

Personposter BETA

Starfelt, SamuelJohansson, LarsZhang, Hanmin

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Starfelt, SamuelJohansson, LarsZhang, Hanmin
Av organisationen
Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013)
I samma tidskrift
Surface Science
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 13 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf