Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Low temperature activation of B implantation of Si subcell fabrication in III-V/Si tandem solar cells
KTH.
KTH.
Karlstads universitet, Fakulteten för hälsa, natur- och teknikvetenskap (from 2013), Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013). (Department of Engineering and Physics, Karlstad University)ORCID-id: 0000-0002-4745-1074
KTH.
Visa övriga samt affilieringar
2019 (Engelska)Ingår i: Proceedings of the 36th EU PVSEC 2019, WIP, 2019, s. 764-768Konferensbidrag, Publicerat paper (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

In this work, we investigated the Si pre-amorphization implantation (PAI) assisted low temperatureannealing process to activate boron implantation in n-Si in a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) reactor, which canbe used for the Si subcell fabrication in the III-V/Si tandem solar cells enabled by the corrugated epitaxial lateralovergrowth (CELOG). A uniform boron activation in Si and a low emitter sheet resistance of 77 /sq was obtained atannealing temperatures of 600-700°C. High-resolution x-ray diffraction was used to study the recrystallization ofamorphous silicon and the incorporation of boron dopants in Si. Hall measurements revealed p-type carrierconcentrations in the order of 1020 cm-3. The n-Si wafers with B implantation activated at 700°C by HVPE wereprocessed to solar cells and characterized by the standard light-current-voltage measurement under AM1.5 spectrumand external quantum efficiency measurements. The developed B implantation and low temperature activationprocesses are applied to the InP/Si seed template preparation for CELOG, on which CELOG GaInP over a Si subcellwith a direct heterojunction was demonstrated.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
WIP, 2019. s. 764-768
Nyckelord [en]
Multijunction Solar Cell, III-V semiconductors, Annealing, Amorphous Silicon
Nationell ämneskategori
Den kondenserade materiens fysik
Forskningsämne
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:kau:diva-74774DOI: 10.4229/EUPVSEC20192019-3BV.2.55ISBN: 3-936338-60-4 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:kau-74774DiVA, id: diva2:1351801
Konferens
European Photovoltaic Solar Energy Conference, Marseille (2019)
Forskningsfinansiär
Energimyndigheten, 40176-1Tillgänglig från: 2019-09-16 Skapad: 2019-09-16 Senast uppdaterad: 2019-11-21Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hansson, RickardRinio, Markus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hansson, RickardRinio, Markus
Av organisationen
Institutionen för ingenjörsvetenskap och fysik (from 2013)
Den kondenserade materiens fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 31 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf